第三代半导体材料SiC、GaN双雄并立

发布时间:2021-09-24 05:30 阅读次数:
本文摘要:第一代半导体材料以硅、锗占多数,第二代半导体材料以氮化镓、磷化铟占多数,从上全球五六十年代至今,几代半导体材料为工业生产转型、社会经济发展做出了卓越贡献。现如今,以SiC、GaN、活性氧化锌、金钢石、氮化铝为意味着的长禁带半导体材料以更高的优点完爆第一、二代半导体材料沦为引领者,统称第三代半导体材料。

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第一代半导体材料以硅、锗占多数,第二代半导体材料以氮化镓、磷化铟占多数,从上全球五六十年代至今,几代半导体材料为工业生产转型、社会经济发展做出了卓越贡献。现如今,以SiC、GaN、活性氧化锌、金钢石、氮化铝为意味着的长禁带半导体材料以更高的优点完爆第一、二代半导体材料沦为引领者,统称第三代半导体材料。  与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更为长的禁带宽度,更高的透过静电场,更高的导热系数,更高的电子器件饱和速度及更高的防辐射工作能力,更为合适于制做高溫、高频率、防辐射及大功率器件,一般来说又称之为长禁带半导体材料(禁带宽度低于2.2ev),亦称之为高溫半导体材料。

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从现阶段第三代半导体材料和元器件的科学研究看来,更加成熟的是SiC和GaN半导体材料,而活性氧化锌、金钢石、氮化铝等原材料的科学研究可谓紧跟环节。在一番是是非非以后,SiC和GaN不容置疑沦为第三代半导体材料双熊,发展趋势尤其迅速。  上世纪90年代以后,GaN转到比较慢发展趋势阶段,年平均增长率超出30%,日渐沦为功率大的LED的至关重要原材料。

自此,GaN也同SiC一起,进占功率器件销售市场。


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